苏南网 - 江苏省生活资讯综合门户网站
当前位置: 苏南网 -> 科技

背刺三星台积电绕过2nm:直奔1.4nm去了

栏目:科技    时间:2022-05-18 11:24   来源: 快科技   阅读量:6420      关键词:

TSMC已经多次明确表示,3nm将在下半年投产。

可是,TSMC的3nm仍然延续了FinFET晶体管结构,而不是三星更难的GAA晶体管但TSMC显然走得更深,知道现在的工艺节点命名混乱,谁的成品率高显然谁就能领先

接下来,TSMC似乎也不想糊弄了,连2nm都绕了一圈,直奔1.4mm

BK报道称,TSMC的3nm R&D团队将于6月全面转向1.4nm节点的开发。

在去年的代工厂会议上,三星预计将在2025年量产2nm,但再次被TSMC称为背刺,走吧

至于同样雄心勃勃的英特尔,计划在2024年下半年生产1.8nm工艺产品一个与摩尔定律的辉煌有关的过程,军备竞赛,又拉开了序幕

郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。