国星光电：已具备GaN芯片技术储备积极开展GaN功率器件等研发工作

今日，国星光电召开年度股东大会，会上审议通过了《2021年度董事会工作报告》等12项议案去年，国兴实现营业收入38.06亿元，同比增长16.64%归母净利润2.03亿元，同比增长100.28%，扣非后净利润1.48亿元，同比增长157.10%

值得注意的是，2021年，国星光电研发投入2.38亿元，同比大幅增长63.19%，占营业收入的6.26%涉及的研发项目包括硅基AIGaN垂直结构近紫外大功率LED外延，芯片及封装的研究与应用，彩色微型LED显示及超高亮度微型显示技术研究，高性能新型显示研发及产业化，汽车LED芯片，紫外光，折射型新型显示，汽车照明，消毒照明，封装技术等

目前，国星光电已推出三大系列第三代半导体:SiC功率分立器件，SiC功率模块，GaN器件其中，SiC功率模块和新型GaN器件测试线已投产运营，可快速响应对接客户的个性化需求，SiC分立器件生产线已投入使用，并已完成多个合作伙伴的试产订单此外，国兴电子有限公司的国兴半导体现已具备硅基GaN芯片的技术储备，并积极与高校，科研院所开展GaN功率器件的研发，已参与第三代半导体方向的两个省级研发项目

国电表示:未来，我们将继续巩固RGB显示器件的优势，做优，做大，做强，继续深化Mini LED技术，做优，做强，做专具体措施是一方面加强Mini/Micro LED直显技术储备，另一方面扩大Mini LED背光源生产规模，完善Mini技术路线布局

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